推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

IPP052NE7N3-G-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
IPP052NE7N3 G-VB 是一款高电压高电流N沟道功率MOSFET,适用于需要高性能功率开关的电子应用。

该器件的参数使其适用于需要处理高电压和高电流的应用,特别是在需要低导通电阻的场合。在实际应用中,请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件,以确保最佳性能和可靠性。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V ±20V 3V 100A 9(mΩ) 7(mΩ)
型号:IPP052NE7N3 G-VB
丝印:VBM1808
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:80V
- 最大连续电流:100A
- 静态开启电阻(RDS(ON)):7mΩ @ 10V, 9mΩ @ 4.5V
- 门源极电压(Vgs):±20V(±V)
- 阈值电压(Vth):2.7V
- 封装类型:TO220

领域和模块应用:

以下是一些可能的应用领域模块:

1. **电源开关模块**:该MOSFET可用于高电压高电流电源开关模块,以实现高效电源的开关和调节。它适用于工业电源系统和高电流电源应用。

2. **电机控制模块**:IPP052NE7N3 G-VB 可用于高电压高电流电机控制模块,如电机驱动、高电压步进电机控制和高电压无刷直流电机驱动。

3. **电池保护模块**:在高电压电池供电系统中,此MOSFET可用于电池保护电路,以防止过放电和过充电。其高电流和电压特性使其适用于高电压电池系统。

4. **高压DC-DC变换器**:在需要高电压转换的DC-DC变换器中,IPP052NE7N3 G-VB 可用作开关器件,以帮助实现高电压电能转换。

5. **电力放大模块**:该MOSFET可以用于音频放大器和电力放大器等高电流高电压模块,以提供高性能的电力放大。

这些是一些可能用到 IPP052NE7N3 G-VB N沟道高电压高电流MOSFET 的应用领域模块的示例。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询

查询相关型号报价

怎么申请免费打样

现在有优惠活动么