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FDP047AN08A0-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
FDP047AN08A0-VB是一款N-Channel沟道MOSFET,适用于高功率、高电流的电路和模块设计,特别是在需要大电流开关和高性能N-Channel MOSFET的应用中。



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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V ±20V 3V 100A 9(mΩ) 7(mΩ)
型号:FDP047AN08A0-VB
丝印:VBM1808
品牌:VBsemi
参数:
- 封装类型:TO220
- 沟道类型:N—Channel
- 最大漏电压(Vds):80V
- 最大漏极电流(Id):100A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):7mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- 阈值电压(Vth):2.7V

封装:TO220

领域和模块应用:

领域模块应用:
1. **电源模块:** 适用于高功率开关电源、电源逆变器等模块设计,能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。

2. **电机驱动模块:** 由于其高电流和低漏电压特性,可用于电机驱动和控制模块,提供可靠的电流输出和驱动性能,尤其在需要较高功率的应用中。

3. **电池保护模块:** 用于电池充放电管理电路,提供高效的电池管理和保护功能。

4. **高功率LED照明模块:** 在需要高亮度和高功率的LED照明系统中,FDP047AN08A0-VB可以用于开关电源设计,以实现高效的LED照明。

5. **电流控制模块:** 适用于需要对电流进行精确控制的高功率模块,如电流源、电流放大器等。
请注意,以上是一些典型的高功率应用场景,实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成FDP047AN08A0-VB时,建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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