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IRLZ34NPBF-VB 产品详细

产品简介:


- 封装:TO220

应用简介:
IRLZ34NPBF-VB是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET)器件,具有较高的电流承受能力和低漏极-源极电阻。这些特性使其在多种高性能电子应用中非常有用。

IRLZ34NPBF-VB是一款多功能的电子器件,适用于需要高电流、低电阻、高效率和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、电机控制、电池保护、高频开关电路、LED照明等模块。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V ±20V 1.7V 50A 28(mΩ) 24(mΩ)
型号:IRLZ34NPBF-VB
丝印:VBM1638
品牌:VBsemi
参数说明:
- 极性:N沟道
- 额定电压:60V
- 最大连续漏极电流:50A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):24mΩ @ 10V,28mΩ @ 4.5V
- 门极-源极电压(Vgs):±20V(±V)
- 開啟電壓(门极阈值电压):1.8V

领域和模块应用:

应用领域:
1. **电源模块**:IRLZ34NPBF-VB具有低漏极-源极电阻,适用于开关电源和电源管理模块,有助于提高电能转换效率。

2. **电机驱动**:这种MOSFET器件的高电流承受能力使其非常适合用于电机驱动器、电机控制和电机保护,可用于各种电机应用。

3. **电池管理**:在电动汽车、电动工具和便携式设备中,IRLZ34NPBF-VB可用于电池管理系统,确保电池的安全充放电和保护。

4. **高频开关电路**:由于其低电阻和高性能,这种MOSFET适用于高频开关电路,如DC-DC变换器、电源逆变器等。

5. **LED驱动**:IRLZ34NPBF-VB可用于LED驱动器和照明控制,以提供高效的LED照明。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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