**2SK2462-VB**

**丝印：** VBM1101M
**品牌：** VBsemi
**参数：** TO220；N—Channel沟道, 100V；18A；RDS(ON)=127mΩ@VGS=10V,
--VGS=±20V；Vth=2~4V

**封装：** TO220


**应用简介：**
该器件为 N—Channel MOSFET，适用于需要控制正向电流的模块，如电源开关和电流调节。

**作用：**
- 控制正向电流，适用于需要 N—Channel 沟道的应用。
- 在电源开关和电流调节电路中发挥关键作用。