产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
TO263 |
Single-P |
-60V |
±20V |
-1.7V |
-35A |
|
60(mΩ) |
48(mΩ) |
|
型号:IRF5305STRPBF-VB
丝印:VBL2658
品牌:VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型:P沟道
- 额定电压:-60V
- 最大电流:-30A
- 导通电阻(RDS(ON)):58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V, ±20Vgs
- 阈值电压(Vth):-1~-3V
- 封装:TO263
领域和模块应用:
**应用领域和模块说明:**
1. **功率开关模块**:
- 由于其P沟道MOSFET的高电流承受能力和低导通电阻,IRF5305STRPBF-VB适用于功率开关模块,可用于高功率负载开关操作。
- 在电源放大器、高功率LED驱动、电机控制等领域中用于高功率开关。
2. **电源管理模块**:
- 该MOSFET可用于电源管理模块,实现电路的功率控制和管理。
- 在电源供应模块、电池充放电管理、DC-DC转换器中用于高效能量管理。
3. **电流控制模块**:
- IRF5305STRPBF-VB的特性使其适用于电流控制应用,可用于调整和限制电流流动。
- 在恒流源、电流调节电路、电流控制开关中用于精确的电流控制。
4. **电源放大模块**:
- 该MOSFET可用于电源放大模块,用于放大和控制高功率信号的传输。
- 在音频放大器、功率放大器、高功率音响设备中用于信号处理和放大。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性