BUK765R2-40B-VB是一款N—Channel沟道MOSFET，采用TO263封装。其主要参数包括40V的额定电压，100A的额定电流，以及在不同门源电压下的开态电阻。

**详细参数说明:**

1. **额定电压(V):** 40V - 这表示器件能够在40V的电压下正常工作。

2. **额定电流(A):** 100A - 这表示器件可以承受的最大电流为100安培。

3. **开态电阻(RDS(ON)):** 5mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V - 这表示在不同的门源电压下，器件的导通状态时的电阻。在这个例子中，当门源电压为10V或±20V时，开态电阻为5毫欧姆。

4. **阈值电压(Vth):** 1.8V - 这是器件的阈值电压，即MOSFET开始导通的门源电压。


BUK765R2-40B-VB是一款高功率N—Channel MOSFET，适用于需要高电流和低开态电阻的各种电源和开关电路应用，特别在需要较高额定电压和大功率的场合，如电源模块、电机驱动、电动工具、电动车辆和工业控制等领域。