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IRF530STRR-VB 产品详细

产品简介:



**详细参数说明:**
IRF530STRR-VB 是一款N—Channel MOSFET,封装为TO263,具有最大100V的沟道电压和20A的最大漏极电流。其静态漏极-源极电阻为100mΩ,阈值电压为1.7V。

**应用简介:**
IRF530STRR-VB广泛应用于各种功率电子应用,包括开关电源、电机驱动和电源逆变器等。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO263 Single-N 100V ±20V 1.8V 20A 100(mΩ)
**IRF530STRR-VB**

- **丝印:** VBL1101M
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:TO263
- 沟道类型:N—Channel
- 最大沟道电压(VDS):100V
- 最大漏极电流(ID):20A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):100mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- 阈值电压(Vth):1.7V

领域和模块应用:

**领域模块应用:**
1. **开关电源模块:** 在开关电源模块中,IRF530STRR-VB可用于实现高效能耗的电源开关,提供可靠的电源控制。
2. **电机驱动:** 作为电机驱动器的一部分,该器件能够控制电机的运行,适用于各种电动工具和工业自动化系统。
3. **电源逆变器:** 在电源逆变器中,IRF530STRR-VB可用于控制逆变电路,将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能发电系统等。

**作用:**
- 提供可靠的功率开关和控制。
- 用于电机的高效驱动和控制。
- 控制电源逆变器,将直流电源转换为交流电源。

**使用注意事项:**
1. 遵循数据手册中的最大额定值,以确保在规定条件下使用。
2. 注意散热,确保器件工作在安全的温度范围内。
3. 在设计中考虑阈值电压,以确保在正确的电压条件下工作。
4. 确保正确的封装和引脚连接,以避免引起电路连接问题。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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