产品简介:
应用简介:
SI1555DL-T1-GE3-VB是一款N+P沟道MOSFET,具有双沟道(N沟道和P沟道)的特性,适用于各种电子应用中。
SI1555DL-T1-GE3-VB是一款双通道(N+P沟道)MOSFET,适用于多种应用领域,包括电池保护、电源开关、信号开关和低电压应用等。其多功能性和性能特点使其成为电子系统中的重要组件,用于控制和调节电路的功能。请在具体应用中参考其数据手册以确保正确使用。
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产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SC70-6 |
Dual-N+P |
±20V |
±20V |
1.0/-1.2V |
3.28/-2.8A |
110/190(mΩ) |
90/155(mΩ) |
|
|
型号:SI1555DL-T1-GE3-VB
丝印:VBK5213N
品牌:VBsemi
详细参数说明:
- 类型:N+P沟道MOSFET
- 额定电压(Vds):±±20V
- 额定电流(Id):2.5A (N沟道), -1.5A (P沟道)
- 导通电阻(RDS(ON)):130mΩ (N沟道) @ 4.5V, 160mΩ (N沟道) @ 2.5V, 230mΩ (P沟道) @ 4.5V, 280mΩ (P沟道) @ 2.5V
- 阈值电压(Vth):±0.6~2V
- 封装类型:SC70-6
领域和模块应用:
以下是该产品可能的应用领域:
1. 电池保护电路:
该MOSFET可用于电池保护电路中,以控制充电和放电过程,确保电池的安全性和稳定性。N沟道和P沟道MOSFET的双通道设计使其适用于不同极性的电池保护。
2. 电源开关:
SI1555DL-T1-GE3-VB可用于开关电源模块,如DC-DC转换器和开关稳压器。其低导通电阻有助于提高开关电源的效率。
3. 信号开关:
在各种信号开关应用中,这款MOSFET可以用于实现信号切换和路由,以控制电路的连接和断开。
4. 低电压应用:
由于其较低的阈值电压和低导通电阻,SI1555DL-T1-GE3-VB适用于低电压应用,如便携式设备、手机和平板电脑等,以实现高效的电路控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持:
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