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Si1553CDL-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
Si1553CDL-T1-GE3是一款集成有N和P沟道MOSFET的器件,适用于电源管理和功率放大器等多种应用。它具有正负额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。

通过控制±20Vgs (±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗,并提高系统的效率。

Si1553CDL-T1-GE3采用SC70-6封装,适用于各种电路板和模块中使用。



Si1553CDL-T1-GE3是一款集成有N和P沟道MOSFET的器件,适用于电源管理和功率放大器等多种应用模块。特别适用于需要同时控制正负电压的领域,如电源开关、电机驱动器等。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-6 Dual-N+P ±20V ±20V 1.0/-1.2V 3.28/-2.8A 110/190(mΩ) 90/155(mΩ)
Si1553CDL-T1-GE3详细参数说明:
- 极性:N+P沟道
- 额定电压:±±20V
- 额定电流:2.5A (N沟道), -1.5A (P沟道)
- 导通电阻:130mΩ @ 4.5V (N沟道), 230mΩ @ 4.5V (P沟道), 160mΩ @ 2.5V (N沟道), 280mΩ @ 2.5V (P沟道)
- 门源电压:±20Vgs (±V)
- 阈值电压:±0.6~2Vth (V)
- 封装类型:SC70-6

领域和模块应用:

该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等多个领域。由于其正负额定电压和额定电流特性,Si1553CDL-T1-GE3特别适用于需要同时控制正负电压的电路应用。在这些领域中,它能够提供可靠的功率开关控制和电流传输。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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