产品简介：
应用简介：
FDG6303N-VB是一款双N沟道场效应晶体管（FET），适用于多种电子应用。它的主要特点包括低阈值电压和低导通电阻，使其能够在低电压和低功率条件下有效工作。其SC70-6封装适合空间受限的应用。
FDG6303N-VB是一款双N沟道场效应晶体管，适用于多种电子领域，包括电源管理、移动设备、无线通信和自动控制系统等应用。其SC70-6封装使其适用于空间受限的应用。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SC70-6 |
Dual-N+N |
20V |
±12V |
0.5~1.5V |
2.6A |
110（mΩ） |
86(mΩ) |
|
|
型号：FDG6303N-VB
丝印：VBK3215N
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：2个N沟道
- 额定电压：20V
- 额定电流：2A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：150mΩ @ 4.5V, 170mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：0.8V
- 封装类型：SC70-6
领域和模块应用：
应用领域：
1. 电源开关模块：FDG6303N-VB可用于电源开关电路，如开关稳压器、DC-DC转换器和功率放大器，以实现高效的电能转换。
2. 移动设备：在手机、平板电脑和便携式消费电子设备中，这款晶体管可用于电源管理、电池充电和放电控制。
3. 无线通信：在射频（RF）前端模块、天线开关和功率放大器中，FDG6303N-VB可用于电路的控制和优化。
4. 自动控制系统：在自动控制和感测系统中，它可以用于执行开关操作和电流控制。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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