产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SC70-3 |
Single-N |
60V |
±20V |
1.7V |
0.3A |
|
4000(mΩ) |
2000(mΩ) |
|
型号:2N7002WT1G-VB
丝印:VBK162K
品牌:VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型:N沟道
- 额定电压:60V
- 最大电流:0.35A
- 导通电阻(RDS(ON)):1800mΩ @ 10V, 2160mΩ @ 4.5V, ±20Vgs
- 阈值电压(Vth):1~2.5V
- 封装:SC70-3
领域和模块应用:
**应用领域和模块说明:**
1. **低功率开关模块**:
- 由于其N沟道MOSFET的特性,2N7002WT1G-VB适用于低功率开关模块,可用于控制低电压和低电流的开关操作。
- 在便携式电子设备、电源管理模块、小型电子开关中广泛使用。
2. **信号放大模块**:
- 该MOSFET可用于信号放大模块,用于放大和控制小信号的传输。
- 在音频放大器、传感器接口、信号调理电路中用于信号处理。
3. **电流控制模块**:
- 2N7002WT1G-VB的特性使其适用于电流控制应用,可用于调整和限制电流流动。
- 在恒流源、电流调节电路、电流控制开关中用于精确的电流控制。
4. **模拟开关模块**:
- 该MOSFET可用于模拟开关模块,用于开关模拟信号。
- 在模拟电路切换、模拟信号选择和模拟电路开关中广泛应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性