产品简介：
应用简介：
NTF6P02T3G是一款P沟道MOSFET，适用于需要负极电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-40V，最大电流为-6A，具有低导通电阻和高性能。
NTF6P02T3G适用于需要负极电压控制和负载开关的应用领域的模块设计，主要用于电源管理、汽车电子模块和工业自动化模块等。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT223 |
Single-P |
-40V |
±20V |
-1.7V |
-6.2A |
|
48(mΩ) |
40(mΩ) |
|
型号：NTF6P02T3G
丝印：VBJ2456
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：P沟道MOSFET
- 最大耐压：-40V
- 最大电流：-6A
- 导通电阻：42mΩ @10V, 49mΩ @4.5V
- 门源电压：±20Vgs (±V)
- 门阈电压：-0.83Vth
- 封装：SOT223
领域和模块应用：
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。
2. 汽车电子模块：可用于汽车电子系统中的负极电源控制和负载开关。
3. 工业自动化模块：适用于工业自动化领域中的负载开关和电源控制。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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