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NDT3055-VB 产品详细

产品简介:



**产品应用简介:**
NDT3055-VB 是一款 N 沟道 MOSFET,适用于低至中功率的电子设备和模块的功率开关和放大器应用。这款 MOSFET 具有适度的额定电压承受能力和较低的漏极-源极电阻,适用于多种领域。

NDT3055-VB MOSFET 在多个领域中都有广泛的应用,用于功率控制、电流开关和信号放大等用途。由于其性能参数,它在电子模块和设备中起到关键作用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT223 Single-N 60V ±20V 1.7V 4.5A 85(mΩ) 76(mΩ)


**型号:** NDT3055-VB

**丝印:** VBJ1695

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:60V
- 最大电流:4A
- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)):76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
- 门源电压阈值 (Vth):1.53V
- 标准门源电压 (±V):±20V
- 封装:SOT223

领域和模块应用:

**产品应用领域:**
1. **电源开关:** 该型号的 MOSFET 可用于电源开关应用,以切换电路中的电源连接,如电源管理单元和电源开关。

2. **电机驱动:** 适用于低至中功率的电机驱动电路,例如小型直流电机和步进电机,以提供电机控制和功率放大。

3. **电池保护:** 可用于电池保护电路,以控制电池的充电和放电,确保电池的安全和性能。

4. **小型逆变器和电源逆变器:** 用于将直流电源转换为交流电源,适用于小型逆变器和电源逆变器,如家庭应急电源系统。

5. **信号放大器:** 适用于放大低至中功率信号的应用,如音频放大器和通信设备中的信号放大器。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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