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SM1105NSV-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
SM1105NSV-VB是一种N沟道场效应晶体管,适用于多种低功率和中功率电子应用,具有较低的导通电阻和较高的额定电压。

SM1105NSV-VB N沟道MOSFET适用于多种低功率和中功率应用,包括电源管理、电池保护、信号开关、电源开关和低功率电流调整模块等领域。它有助于实现低功率电子系统的高效能和可靠性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT223 Single-N 100V ±20V 1.8V 5A 120(mΩ) 100(mΩ)
型号:SM1105NSV-VB
丝印:VBJ1101M
品牌:VBsemi
参数:
- N沟道
- 额定电压:100V
- 最大漏电流:5A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):100mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V, ±20Vgs
- 阈值电压(Vth)范围:2V 至 4V
- 封装:SOT223

领域和模块应用:

以下是一些可能的应用领域和模块:

1. **电源管理**:这种N沟道MOSFET适用于低功率电源管理模块,如电源开关、电源管理单元和电源适配器。它有助于实现电路的高效率和可靠性。

2. **电池保护**:在便携式电子设备中,SM1105NSV-VB可以用于电池保护电路,以确保电池充电和放电过程中的安全和稳定性。

3. **信号开关**:这款MOSFET可用于低功率信号开关应用,如模拟信号切换、数字信号开关和信号放大器。

4. **电源开关**:在低功率电源开关电路中,它可用于控制和调整电源输出,以满足不同低功率电子设备的电能需求。

5. **电流调整模块**:SM1105NSV-VB也可以用于低功率电流调整模块,如LED驱动器、低功率电流调整电路和电源管理单元,以确保电路输出的稳定性和精确性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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