产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT223 |
Single-N |
100V |
±20V |
1.8V |
5A |
|
120(mΩ) |
100(mΩ) |
|
型号:SM1105NSV-VB
丝印:VBJ1101M
品牌:VBsemi
参数:
- N沟道
- 额定电压:100V
- 最大漏电流:5A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):100mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V, ±20Vgs
- 阈值电压(Vth)范围:2V 至 4V
- 封装:SOT223
领域和模块应用:
以下是一些可能的应用领域和模块:
1. **电源管理**:这种N沟道MOSFET适用于低功率电源管理模块,如电源开关、电源管理单元和电源适配器。它有助于实现电路的高效率和可靠性。
2. **电池保护**:在便携式电子设备中,SM1105NSV-VB可以用于电池保护电路,以确保电池充电和放电过程中的安全和稳定性。
3. **信号开关**:这款MOSFET可用于低功率信号开关应用,如模拟信号切换、数字信号开关和信号放大器。
4. **电源开关**:在低功率电源开关电路中,它可用于控制和调整电源输出,以满足不同低功率电子设备的电能需求。
5. **电流调整模块**:SM1105NSV-VB也可以用于低功率电流调整模块,如LED驱动器、低功率电流调整电路和电源管理单元,以确保电路输出的稳定性和精确性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性