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FDT3612-VB 产品详细

产品简介:


应用简介:
FDT3612-VB是一款N—Channel沟道场效应晶体管,具有适中的漏电流、较高的漏电压、低导通电阻等特性。采用SOT223标准封装,适用于多种电子应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT223 Single-N 100V ±20V 1.8V 5A 120(mΩ) 100(mΩ)
型号:FDT3612-VB
丝印: VBJ1101M
品牌: VBsemi
封装: SOT223
详细参数说明:

沟道类型(Channel Type): N—Channel
最大漏电流(Maximum Drain Current): 5A
最大漏电压(Maximum Drain-Source Voltage): 100V
导通电阻(On-Resistance): RDS(ON)=100mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
阈值电压(Gate Threshold Voltage): Vth=2~4V

领域和模块应用:

主要应用领域模块:

电源开关模块: 适用于电源开关模块,实现高效的电源控制和管理,尤其在低至中功率的应用中表现出色。

电流控制模块: 由于其适中的性能参数,可用于电流控制模块,实现对负载电流的有效控制。

电池保护模块: 适用于电池保护电路,提供对电池的有效保护。

使用注意事项:

请按照厂家提供的规格书和应用指南使用,并确保工作条件在组件的规定范围内。
确保电路设计合理,以防过电流、过电压等情况对器件造成损害。
注意适当的散热设计,特别是在高功率应用中,以确保器件在正常工作温度范围内。
遵循焊接和封装的相关标准,确保器件与电路板的可靠连接。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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