产品简介：
**应用简介：**
这款P—Channel沟道MOSFET适用于中低功率和低电压的应用场景，
文件下载
产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT89 |
Single-P |
-30V |
±20V |
-1.7V |
-7.6A |
|
56(mΩ) |
50(mΩ) |
|
**详细参数说明：**
- **型号:** XP162A12A6PR-VB
- **丝印:** VBI2338
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装类型: SOT89-3
- 沟道类型: P—Channel
- 额定电压(VDS): -30V
- 额定电流(ID): -7.6A
- 导通电阻(RDS(ON)): 50mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- 阈值电压(Vth): -1.7V
领域和模块应用：
常见于以下领域：
1. **电源开关模块：** 适用于中小功率的电源开关模块，提供可靠的开关控制。
2. **低功耗电子设备：** 在需要节能和低功耗的电子设备中，例如便携式设备和传感器。
3. **电池管理系统：** 用于电池充放电管理系统，控制电流和提供短路保护。
4. **模拟开关应用：** 在需要P—Channel沟道的模拟开关电路中，例如音频放大器。
在任何应用中，都应仔细阅读产品手册和规格书，以确保正确的使用和操作。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
中文
English
返回上级页面
立即下载
