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P3004ND5G-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
P3004ND5G-VB是一款N+P沟道MOSFET(N沟道和P沟道混合型金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电子应用,包括需要双极性电流承受能力的应用。

P3004ND5G-VB是一款多功能的N+P沟道MOSFET,适用于各种需要双极性电流承受能力、低电阻和高耐压的电子应用。它在电机驱动、电池管理、电源逆变器和电源开关模块等模块中都有广泛的用途。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252-4L Common Drain-N+P ±40V ±20V 1.8/-1.7V ±50A 14/14(mΩ) 16/16(mΩ)
型号:P3004ND5G-VB
丝印:VBE5415
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N+P沟道
- 最大耐压:±40V
- 最大持续电流:50A (N沟道) / -50A (P沟道)
- 开通电阻(RDS(ON)):15mΩ @ 10Vgs (N沟道) / 18.75mΩ @ 4.5Vgs (P沟道)
- 阈值电压(Vth):±1V
- 封装类型:TO252-5

领域和模块应用:

以下是它的一些主要应用领域:

1. 电机驱动:这款MOSFET适用于电机驱动电路,如电动汽车电机驱动、电机控制和工业电机应用。N沟道用于正向电流通路,P沟道用于反向电流通路,可实现双向电流控制。

2. 电池管理系统:P3004ND5G-VB可用于电池管理系统,用于电池充电和放电控制,确保电池在各种工作模式下的安全性和性能。

3. 电源逆变器:在需要双向电流流动的电源逆变器应用中,例如太阳能逆变器和电动汽车充电桩,这款MOSFET可以用于电源逆变电路,将直流电转换为交流电或反之亦然。

4. 电源开关模块:P3004ND5G-VB可用于电源开关模块,如开关稳压器、电源适配器和直流-直流变换器,以提供高效率和稳定的电源输出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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