产品简介：
应用简介：
SQD50P06-15L-GE3是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为-60V，最大电流为-50A，具有低导通电阻和高性能。
SQD50P06-15L-GE3适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、高效功率开关模块和电动工具等。
文件下载
产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO252 |
Single-P |
-60V |
±20V |
-1.7V |
-50A |
|
25(mΩ) |
20(mΩ) |
|
型号：SQD50P06-15L-GE3
丝印：VBE2625
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：P沟道MOSFET
- 最大耐压：-60V
- 最大电流：-50A
- 导通电阻：20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V
- 门源电压：±20Vgs (±V)
- 门阈电压：-1.76Vth
- 封装：TO252
领域和模块应用：
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于高功率DC-DC转换器、逆变器和电池管理系统等。
2. 高效功率开关模块：可用于高功率负载开关和电源控制器。
3. 电动工具：适用于驱动高功率电动工具中的负极电源控制和负载开关。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
立即下载
中文
English
返回上级页面
