产品简介:
应用简介:
IPD90P04P4L-04-VB是一款P沟道功率MOSFET,适用于多种领域模块,
IPD90P04P4L-04-VB适用于多个领域,包括电源管理、电机驱动、电池保护和电源逆变器等模块。其卓越的性能参数使其成为各种应用中的理想选择。
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产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
TO252 |
Single-P |
-40V |
±20V |
-2V |
-90A |
|
13(mΩ) |
6.8(mΩ) |
|
型号:IPD90P04P4L-04-VB
丝印:VBE2406
品牌:VBsemi
参数说明:
- 类型:P沟道
- 额定电压:-40V
- 最大电流:-110A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):4.8mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V, ±20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):-2V
- 封装类型:TO252
领域和模块应用:
具有以下应用潜力:
1. 电源管理模块:这款MOSFET的额定电压和极低的导通电阻使其非常适合电源开关、电源调节和稳压模块,以提供高效的电源管理。
2. 电机驱动:在电机控制和驱动应用中,IPD90P04P4L-04-VB可用作电流控制开关,有助于实现电机的高效控制和运行。
3. 电池保护:该产品的低阈值电压使其成为电池保护模块的理想选择,以确保电池在各种工作条件下安全运行。
4. 电源逆变器:在太阳能逆变器和电源逆变器中,IPD90P04P4L-04-VB可用于高效地转换和管理电能,确保电源系统的可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持:
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