推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

AP40P03GH-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
AP40P03GH-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET)器件,具有高电流承受能力和低漏极-源极电阻。这使其在多种高性能电子应用领域中非常有用。

AP40P03GH-VB是一款多功能的电子器件,适用于需要高电流、低电阻、高效率和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、电机控制、电池保护、高频开关电路、LED照明等模块。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-P -30V ±20V -1.7V -40A 25(mΩ) 18(mΩ)
型号:AP40P03GH-VB
丝印:VBE2317
品牌:VBsemi
参数说明:
- 极性:P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大连续漏极电流:-40A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):18mΩ @ 10V,25mΩ @ 4.5V
- 门极-源极电压(Vgs):±20V(±V)
- 開啟電壓(门极阈值电压):-1.7V
- 封装:TO252

领域和模块应用:

应用领域:
1. **电源模块**:由于AP40P03GH-VB具有低漏极-源极电阻,它适用于开关电源、电源管理模块和电池保护电路,有助于提高电能转换效率。

2. **电机驱动**:这种MOSFET器件的高电流承受能力使其非常适合用于电机驱动器、电机控制和电机保护,可用于各种电机应用。

3. **电池管理**:在电动汽车、电动工具和便携式设备中,AP40P03GH-VB可用于电池管理系统,确保电池的安全充放电和保护。

4. **高频开关电路**:由于其低电阻和高性能,这种MOSFET适用于高频开关电路,如DC-DC变换器、电源逆变器等。

5. **LED驱动**:AP40P03GH-VB可用于LED驱动器和照明控制,以提供高效的LED照明。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询

查询相关型号报价

怎么申请免费打样

现在有优惠活动么