产品简介：
应用简介：
CMD50P03-VB是一款高电流、高功率P沟道MOSFET，适用于需要高效电能控制和负电压电源开关的电子应用领域。
CMD50P03-VB MOSFET适用于需要高功率、高电流、高效能控制的电子应用领域。这种组件有助于提高系统效率、可靠性和电能
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO252 |
Single-P |
-30V |
±20V |
-2.5V |
-60A |
|
13(mΩ) |
11(mΩ) |
|
型号：CMD50P03-VB
丝印：VBE2311
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-30V
- 最大连续电流：-60A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, ±20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：-1.6V
- 封装类型：TO252
领域和模块应用：
以下是一些可能的应用领域：
1. 电源管理：这种高电流、高功率MOSFET可用于电源开关、电源逆变器、电源供应和稳压器等应用，以提供高效的电能控制和稳定的电压输出。
2. 电机控制：它适用于高功率电机控制，如电动机驱动器、直流电机控制、工业自动化设备和电机保护电路。
3. 汽车电子：在汽车电子中，这种MOSFET可以用于车辆电源管理、电机驱动、电动汽车充电设备等应用。
4. 高频开关电源：用于高功率高频开关电源和逆变器，如通信设备、太阳能逆变器、电焊设备等领域。
5. 高性能电子设备：CMD50P03-VB适用于需要高电流、高功率开关的高性能电子设备和工业控制系统。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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