产品简介：
应用简介：
DMP3010LK3-VB是一款P沟道场效应晶体管（FET），适用于高电流和高功率电子应用。它具有低导通电阻和TO252封装，适合在高功率电路中实现电流控制。
DMP3010LK3-VB是一款适用于高电流和高功率电子应用的P沟道场效应晶体管，适用于电源管理、电机控制、电源因数校正和电路保护等领域。其TO252封装使其适用于各种电路设计。
文件下载
产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO252 |
Single-P |
-30V |
±20V |
-2.5V |
-60A |
|
11(mΩ) |
9(mΩ) |
|
型号：DMP3010LK3-VB
丝印：VBE2309
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-30V
- 额定电流：-60A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：9mΩ @ 10V, 12mΩ @ 4.5V, ±20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：-1.71V
- 封装类型：TO252
领域和模块应用：
应用领域：
1. 电源开关模块：DMP3010LK3-VB可用于电源开关电路，如开关稳压器、DC-DC转换器和电池管理系统，以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. 电机控制：在电机驱动电路、电机控制器和电动汽车中，这款晶体管可用于电机的启停、速度调节和效能提升。
3. 电源因数校正：在电源因数校正电路中，DMP3010LK3-VB可用于改善电源因数，降低谐波失真。
4. 电路保护：在电路保护器件中，这款P沟道场效应晶体管可用于过电流保护、短路保护和电压保护，确保电路的安全运行。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
立即下载
中文
English
返回上级页面
