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DMN6068LK3-13-VB 产品详细

产品简介:



**应用简介:**

VBsemi DMN6068LK3-13-VB 是一款TO252封装的N—Channel沟道场效应晶体管(MOSFET),适用于中功率开关电源和电机驱动应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-N 60V ±20V 1.7V 18A 85(mΩ) 73(mΩ)
**VBsemi DMN6068LK3-13-VB 产品详细参数说明:**

- **丝印标识:** VBE1695
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** TO252
- **通道类型:** N—Channel沟道
- **漏极-源极电压(VDS):** 60V
- **漏极-源极电流(ID):** 18A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 73mΩ @ VGS=10V, 73mΩ @ VGS=±20V
- **阈值电压(Vth):** 2V

领域和模块应用:

**主要应用领域和模块:**

1. **电源开关模块:** 适用于直流-直流(DC-DC)变换器、电源开关控制等。

2. **电机驱动模块:** 可用于中功率电机驱动,提供适中电流和低导通电阻的特性。

**作用:**

- 提供适中电流和低导通电阻的功率开关控制。
- 用于中功率电机驱动模块,支持高效率和中功率应用。

**使用注意事项:**

1. **电压等级:** 在规定的电压范围内使用,不要超过产品标称的最大漏极-源极电压。

2. **电流负载:** 注意电流负载不要超过产品的额定电流。

3. **工作温度:** 在规定的工作温度范围内使用,避免超温操作。

以上信息仅为参考,实际使用时请仔细阅读产品手册和规格书,确保正确使用,并遵循厂商的建议和注意事项。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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