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STD3NK50Z-VB 产品详细

产品简介:



**应用简介:**
适用于高电压、中功率负载开关应用,是N-Channel MOSFET,可在高电压环境下提供有效的功率控制和开关操作。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-N 650V ±30V 3.5V 4A 2750(mΩ) 2200(mΩ)
**详细参数说明:**
- **型号:** STD3NK50Z-VB
- **丝印:** VBE165R04
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** TO252
- **沟道类型:** N-Channel
- **额定电压(Vds):** 650V
- **额定电流(Id):** 4A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 2200mΩ @ VGS=10V, ;
VGS=30V
- **阈值电压(Vth):** 3.5V

领域和模块应用:

**主要应用领域和模块:**
1. **电源模块:** 用于高电压开关电源、稳压器等电源模块,提供有效的能量转换。
2. **电动车充电器:** 在电动车充电器中,作为开关元件,控制电流流向,实现充电功能。
3. **电机驱动:** 在高电压电机驱动模块中,作为电机的开关元件,实现电机的精确控制。
4. **高压LED驱动:** 适用于高压LED照明控制模块,提供可调光和开关功能。

**作用:**
STD3NK50Z-VB作为N-Channel MOSFET,可在高电压、中功率负载开关应用中提供可靠的功率控制和开关操作。

**使用注意事项:**
1. **电压等级:** 确保在规定的额定电压范围内使用,避免超过最大额定电压。
2. **电流限制:** 不要超过规定的最大额定电流,以防损坏元件。
3. **温度:** 注意工作温度范围,确保在适当的温度条件下使用。
4. **驱动电压:** 在控制端(Gate)施加适当的驱动电压,以确保可靠的功率控制。
5. **阈值电压范围:** 注意阈值电压范围,确保在规定的范围内实现正常操作。

以上是对STD3NK50Z-VB的详细参数、应用和使用注意事项的简要说明。确保按照规格书和数据手册中的指导操作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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