产品简介：
**应用简介：**
适用于高电压、低电流的功率开关应用，特别是在需要 N—Channel MOSFET 的场合，用于电源开关、电源逆变和低功率电机控制。
**使用注意事项：**
1. 确保按照规格书正确连接引脚，以确保器件正常工作。
2. 在设计中考虑散热需求，以确保器件在正常温度范围内。
3. 避免电压和电流超过器件的最大额定值。
4. 注意防止器件过载，以避免损坏。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO252 |
Single-N |
650V |
±30V |
3.5V |
4A |
|
2750(mΩ) |
2200(mΩ) |
|
**STD3NK50ZT4-VB 产品参数：**
- 丝印： VBE165R04
- 品牌： VBsemi
- 封装： TO252
- 类型： N—Channel 沟道
- 额定电压： 650V
- 额定电流： 4A
- 静态导通电阻： RDS(ON) = 2200mΩ @ VGS=10V, ；
VGS=30V
- 阈值电压： Vth = 3.5V
领域和模块应用：
**领域模块及作用：**
1. **低功率电源开关模块：** 用于低功率开关电源，如家居电子设备。
2. **电源逆变模块：** 适用于逆变器，将直流电源转换为交流电源。
3. **低功率电机控制模块：** 控制低功率电机运行，适用于小型风扇等设备。
4. **电动工具和电动车充电模块：** 提供中等电压输出，适用于电动工具和电动车充电器。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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