产品简介：
**详细参数说明：**
IPD60R3K3C6-VB是一款N沟道MOSFET，最大耐压为650V，最大电流为4A。其静态导通电阻在不同电压下表现如下：在10V下为2200mΩ，在4.5V下为2750mΩ，驱动电压范围为±20V。阈值电压为3.5V。该器件采用TO252封装，有着适中的尺寸和散热性能。
IPD60R3K3C6-VB适用于需要高耐压和适中电流能力的N沟道MOSFET的多种领域，包括电源管理、逆变器、电机驱动和电池管理等领域。其性能参数使其成为许多电子模块的理想选择。
文件下载
产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO252 |
Single-N |
650V |
±30V |
3.5V |
4A |
|
2750(mΩ) |
2200(mΩ) |
|
型号：IPD60R3K3C6-VB
丝印：VBE165R04
品牌：VBsemi
参数：
- N沟道
- 最大耐压：650V
- 最大电流：4A
- 静态导通电阻：2200mΩ @ 10V, 2750mΩ @ 4.5V, ；
30Vgs (±V)
- 阈值电压：3.5V
- 封装：TO252
领域和模块应用：
IPD60R3K3C6-VB适用于多种领域的模块，包括但不限于：
1. **电源开关模块**：由于其较高的耐压和适中的电流能力，它可用于电源开关和开关模式电源供应模块，有助于提高电能转换效率。
2. **逆变器和开关电源**：在逆变器和开关电源中，该器件可以实现高效的电能转换和控制，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等应用。
3. **电机驱动**：可用于电机控制和驱动模块，如电动汽车、工业机械和家用电器中的电机控制。
4. **电池充放电保护**：在电池管理系统中，它可以用于电池充放电保护和电流控制，确保电池的安全性和性能。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
立即下载
中文
English
返回上级页面
