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IRFD12N06RLESM-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介:
IRFD12N06RLESM-VB是一款N沟道场效应管,由品牌VBsemi生产。该器件具有60V的漏极-源极电压额定值,能够承受最大45A的漏极电流。其导通状态下的导通电阻(RDS(ON))为25mΩ,在VGS=10V和
--VGS=±20V时均为该数值,门源阈值电压(Vth)为1.8V。该器件采用TO252封装。



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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-N 60V ±20V 1.7V 45A 30(mΩ) 25(mΩ)
二、详细参数说明:
- 沟道类型:N沟道
- 额定漏极-源极电压(VDS):60V
- 最大漏极电流(ID):45A
- 导通状态下的导通电阻(RDS(ON)):25mΩ @ VGS=10V;
--VGS=±20V
- 门源阈值电压(Vth):1.8V
- 封装类型:TO252

领域和模块应用:

三、适用领域和模块示例:
1. **电源模块**:IRFD12N06RLESM-VB适用于设计用于高功率电源转换的电源模块,如DC-DC转换器、开关电源等。其高漏极-源极电压和漏极电流额定值能够满足高功率应用的要求。
2. **电动车辆**:在电动车辆领域,这种器件可以用于设计电动汽车控制模块、电动车辆充电器等,因为它能够承受高电压和大电流,同时具有较低的导通电阻,能够提高效率和性能。
3. **工业控制**:IRFD12N06RLESM-VB适用于工业控制领域的电机驱动、电源开关等模块设计,能够提供足够的电流和电压,同时具有较低的导通电阻,提高了系统的稳定性和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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