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30N06L-CMD30N06L-VB 产品详细

产品简介:

1. 产品简介:

30N06L-CMD30N06L-VB 是 VBsemi 品牌推出的 N-Channel 沟道场效应晶体管。该器件的丝印为 VBE1638,封装采用 TO252。它具有以下主要特性:工作电压为 60V,最大漏极电流可达 45A,漏源电阻为 25mΩ(在 VGS=10V 时),且阈值电压为 1.8V。



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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-N 60V ±20V 1.7V 45A 30(mΩ) 25(mΩ)
2. 详细参数说明:

- 工作电压(VDS):60V
- 最大漏极电流(ID):45A
- 漏源电阻(RDS(ON)):25mΩ(在 VGS=10V 时)
- 阈值电压(Vth):1.8V
- 封装类型:TO252

领域和模块应用:

3. 适用领域和模块示例:

30N06L-CMD30N06L-VB 可以广泛应用于以下领域和模块:

- 电源管理:作为功率 MOSFET,适用于开关电源、电池充放电管理等场景。例如,用于电动车充电器的输入端和输出端电路。
- 电动车辆:可用于电动车辆的驱动控制,包括电机控制、电池管理和充电系统。例如,用于电动汽车的驱动逆变器和电池管理系统。
- 工业控制:在工业自动化系统中,可用于开关和调节高功率负载,如电机驱动和电炉控制。例如,用于机械设备的驱动模块和温度控制系统。
- LED 照明:适用于 LED 驱动电路,提供高效的电流调节和开关控制。例如,用于 LED 路灯和室内照明系统的电源驱动模块。

这些示例说明了 30N06L-CMD30N06L-VB 在各种应用领域中的潜在用途,其高性能和可靠性使其成为许多电力控制和开关应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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