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IPD15N06S2L-64-VB 产品详细

产品简介:



**应用简介:**
这是一款N-Channel沟道的功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于TO252封装。其特点包括60V的额定电压,45A的额定电流,低导通电阻等,使其适用于中功率电子应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-N 60V ±20V 1.7V 45A 30(mΩ) 25(mΩ)
**详细参数说明:**
- 型号:IPD15N06S2L-64-VB
- 丝印:VBE1638
- 品牌:VBsemi
- 封装:TO252
- 类型:N-Channel沟道
- 额定电压:60V
- 额定电流:45A
- 导通电阻:25mΩ @ VGS=10V;
--VGS=±20V
- 阈值电压:1.8V

领域和模块应用:

**应用领域:**
该器件常用于电源开关、电机驱动、逆变器等领域的模块。在这些模块中,它可以用于功率调节、电流控制等功能,提供中功率的电能转换和控制。

**作用:**
- 在电源开关模块中,可用于中功率的开关电源的调节和控制。
- 在电机驱动模块中,可用于中功率电机的驱动和控制。
- 在逆变器模块中,可用于中功率的直流到交流的电能转换。

**使用注意事项:**
- 严格按照数据手册提供的最大额定值操作,以防止器件损坏。
- 注意器件的静电敏感性,采取适当的防护措施。
- 在设计中考虑散热和温度管理,确保器件在正常工作温度范围内。
- 遵循适当的焊接和安装标准,以确保可靠的电气连接和机械强度。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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