产品简介：
应用简介：
IRFR1018ETRPBF-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于高功率电子应用。它具有低导通电阻和耐压特性，适用于要求高电流和高功率的电子系统。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO252 |
Single-N |
60V |
±20V |
2.5V |
58A |
|
13(mΩ) |
10(mΩ) |
|
型号：IRFR1018ETRPBF-VB
丝印：VBE1615
品牌：VBsemi
参数：
- N沟道
- 最大耐压：60V
- 最大漏电流：60A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, ±20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：1.87V
- 封装：TO252
领域和模块应用：
领域模块应用：
1. 电源开关模块：IRFR1018ETRPBF-VB可用于电源开关应用，如高功率电源开关和电源转换器。
2. 电机驱动器：在高功率电机驱动应用中，它能够提供所需的高电流和高效率。
3. 高功率放大器：适用于音频放大器、RF放大器等高功率放大器模块。
这些特性使IRFR1018ETRPBF-VB在高功率电子系统中有广泛的应用。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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