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IRFR1010ZTRPBF-VB 产品详细

产品简介:



**应用简介:**
IRFR1010ZTRPBF-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种电子应用,特别在以下领域和对应的模块中表现卓越:

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-N 60V ±20V 3V 97A 12(mΩ) 4.5(mΩ)
型号: IRFR1010ZTRPBF-VB
丝印: VBE1606
品牌: VBsemi
参数: TO252;N—Channel沟道,60V;110A;RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V,
--VGS=±20V;Vth=2.8V;
封装: TO252

**详细参数说明:**
- **型号**: IRFR1010ZTRPBF-VB
- **丝印**: VBE1606
- **品牌**: VBsemi
- **参数**:
- 封装: TO252
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 60V
- 额定电流: 110A
- 开态电阻 (RDS(ON)): 4.5mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- 门源极阈值电压 (Vth): 2.8V

领域和模块应用:

1. **电源模块:**
由于其较高的额定电压和电流承载能力,IRFR1010ZTRPBF-VB非常适用于电源模块,包括直流电源和开关电源。

2. **电机驱动模块:**
该器件的高电流特性使其成为电机驱动模块的理想选择,可用于各种电机控制应用。

3. **电源逆变器:**
适用于电源逆变器,能够在不同的电压和频率要求下提供可靠的性能。

4. **电动工具:**
由于其高电流和低开态电阻,可用于电动工具,提供可靠的功率控制。

**使用注意事项:**
- 请按照产品规格书中的最大额定值使用电压和电流。
- 确保在指定的工作温度范围内使用,以确保性能和可靠性。
- 谨慎设计散热系统,确保器件在高负载条件下保持适当的工作温度。

请注意,以上建议仅为参考,具体应用需根据项目需求和设计要求进行调整。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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