产品简介：
**应用简介:**
NTD4860NT4G-VB是一款TO252封装的N-Channel MOSFET，适用于多种领域的高电流、低导通电阻的电路设计。
**使用注意事项:**
- 在设计电路时，确保了解和遵循器件的最大额定电压和电流，以防止器件损坏。
- 由于高功率特性，需要考虑适当的散热措施，以确保器件在正常工作温度范围内。
- 注意阈值电压，确保在实际应用中满足所需的电流和电压条件。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO252 |
Single-N |
30V |
±20V |
1.7V |
80A |
|
6(mΩ) |
5(mΩ) |
|
型号: NTD4860NT4G-VB
丝印: VBE1307
品牌: VBsemi
封装: TO252
**详细参数说明:**
- 架构: N-Channel MOSFET
- 电压等级: 30V
- 电流能力: 60A
- RDS(ON): 10mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- 阈值电压 (Vth): 1.6V
领域和模块应用：
以下是该器件可能应用于的领域和模块：
1. **电源模块：** 适用于高功率电源模块，如电源放大器和电源逆变器。
2. **电机控制：** 可用于高功率电机驱动，如电动工具和电动车辆。
3. **电源开关：** 在要求高电流和低导通电阻的电源开关模块中可以发挥作用。
4. **电源放大器：** 适用于高功率放大器的输出级，提高功率放大器的效率。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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