产品简介：
应用简介：
该 MOSFET 适用于高功率和电流的应用，常用于电源开关、电机驱动和功率管理电路。N—Channel 沟道类型使其在负载开关和电源管理中表现出色。
作用：
1. 提供高功率和电流条件下的稳定性能。
2. 适用于需要高功率开关的电源系统。
3. 在电机控制和驱动电路中实现可靠的功率开关。
使用注意事项：
1. 请按照数据手册提供的最大额定值操作，以避免损坏设备。
2. 在设计中考虑适当的散热措施，以确保器件在额定工作温度下稳定运行。
3. 避免超过最大额定电流和电压，以防止设备过载。
4. 在使用过程中，注意静电防护，避免损坏敏感元件。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO252 |
Single-N |
30V |
±20V |
1.7V |
100A |
|
3(mΩ) |
2(mΩ) |
|
VBsemi IRLR8103VTRPBF-VB MOSFET 参数：
- 封装：TO252
- 沟道类型：N—Channel
- 最大电压：30V
- 最大电流：100A
- RDS(ON)：2mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- 阈值电压：1.9V
领域和模块应用：
使用领域模块：
1. 电源开关：用于高功率开关的电源系统。
2. 电机驱动：适用于需要高功率和电流的电机控制和驱动电路。
3. 功率管理电路：在高功率和电流条件下，提供可靠的功率管理功能。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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