产品简介：
**详细参数说明:**
1. **封装类型 (Package Type):** TO252，表明该器件使用TO252封装。
2. **沟道类型 (Channel Type):** N-Channel，指示这是一个N沟道MOSFET。
3. **额定电压 (Rated Voltage):** 30V，说明器件能够正常工作的最大电压。
4. **最大电流 (Maximum Current):** 100A，表示器件能够承受的最大电流。
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 2mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V，说明在特定的栅源电压下，开态时的电阻。
6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = 1.9V，表示在栅源电压作用下，器件从关态切换到开态所需的电压。
**应用简介:**
AP0603GH-VB是一款高功率N-Channel MOSFET，适用于多种高电流应用领域，
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO252 |
Single-N |
30V |
±20V |
1.7V |
100A |
|
3(mΩ) |
2(mΩ) |
|
型号: AP0603GH-VB
丝印: VBE1303
品牌: VBsemi
参数:
- 封装类型: TO252
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 30V
- 最大电流: 100A
- 开态电阻: RDS(ON) = 2mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- 阈值电压: Vth = 1.9V
封装: TO252
领域和模块应用：
1. **电源开关:** 适用于高功率电源开关和稳压器，提供高效的电流控制。
2. **电机驱动:** 适用于高功率直流电机和步进电机的驱动电路。
3. **电源逆变器:** 用于高功率太阳能逆变器和其他高功率电源逆变器，提供高效的能量转换。
4. **电源管理模块:** 适用于高功率电源管理应用，如电源适配器、电池管理等。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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