产品简介：
应用简介：
IRLR120NTRPBF-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高电压和高电流性能的电子应用领域。
IRLR120NTRPBF-VB MOSFET适用于需要高功率、高电压、高电流性能的电子应用领域。这种组件有助于提高系统效率、可靠性和电能控制，因此在各种领域的模块和电路中广泛应用。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO252 |
Single-N |
100V |
±20V |
1.8V |
15A |
|
|
114(mΩ) |
|
型号：IRLR120NTRPBF-VB
丝印：VBE1101M
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：100V
- 最大连续电流：18A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V, ±20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：1.6V
- 封装类型：TO252
领域和模块应用：
以下是一些可能的应用领域：
1. 电源管理：这种高电压、高电流MOSFET可用于电源开关、电源逆变器、电源供应和稳压器等应用，以提供高效的电能控制和稳定的电压输出。
2. 电机控制：它适用于高功率电机控制，如电动机驱动器、直流电机控制、工业自动化设备和电机保护电路。
3. 汽车电子：在汽车电子中，这种MOSFET可以用于车辆电源管理、电机驱动、电动汽车充电设备等应用。
4. 高频开关电源：用于高频开关电源和逆变器，例如用于通信设备、太阳能逆变器、变频空调等领域。
5. 高性能电子设备：IRLR120NTRPBF-VB适用于需要高电流、高电压开关的高性能电子设备和工业控制系统。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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