产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
TSSOP8 |
Dual-P+P |
-30V |
±20V |
-1.7V |
-5.2A |
|
55(mΩ) |
36(mΩ) |
|
型号:AO8807-VB
丝印:VBC6P3033
品牌:VBsemi
参数:
- 2个P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大漏电流:-5.2A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):33mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V, ±20Vgs
- 阈值电压(Vth)范围:1V 至 3V
- 封装:TSSOP8
领域和模块应用:
以下是一些可能的应用领域和模块:
1. **电源开关**:这种P沟道MOSFET适用于电源开关模块,如电源开关电路、稳压器和电源适配器。它能够有效地控制电流和电压,使其适用于电源管理应用。
2. **电池保护**:在便携式电子设备中,AO8807-VB可以用于电池保护电路,以确保电池充电和放电过程中的安全和稳定性。
3. **信号开关**:这款MOSFET可用于信号开关应用,如模拟信号切换、数字信号开关和信号放大器。
4. **电源开关和控制**:在各种电子开关和控制应用中,AO8807-VB可以用于电源开关、电路控制和电源适配器。
5. **电流调整模块**:它还可以用于电流调整模块,如LED驱动器、电流调整电路和电源管理单元,以确保电路输出的稳定性和精确性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性