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AO8807-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
AO8807-VB是一种P沟道场效应晶体管,具有两个P沟道MOSFET,适用于多种电子应用,特别适合用于功率开关和电路控制。

AO8807-VB P沟道MOSFET适用于多种电子应用,包括电源管理、电池保护、信号开关、电源开关和电流调整模块等领域。它有助于实现电子系统的高效率和可靠性,特别适用于功率开关和电路控制。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TSSOP8 Dual-P+P -30V ±20V -1.7V -5.2A 55(mΩ) 36(mΩ)
型号:AO8807-VB
丝印:VBC6P3033
品牌:VBsemi
参数:
- 2个P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大漏电流:-5.2A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):33mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V, ±20Vgs
- 阈值电压(Vth)范围:1V 至 3V
- 封装:TSSOP8

领域和模块应用:

以下是一些可能的应用领域和模块:

1. **电源开关**:这种P沟道MOSFET适用于电源开关模块,如电源开关电路、稳压器和电源适配器。它能够有效地控制电流和电压,使其适用于电源管理应用。

2. **电池保护**:在便携式电子设备中,AO8807-VB可以用于电池保护电路,以确保电池充电和放电过程中的安全和稳定性。

3. **信号开关**:这款MOSFET可用于信号开关应用,如模拟信号切换、数字信号开关和信号放大器。

4. **电源开关和控制**:在各种电子开关和控制应用中,AO8807-VB可以用于电源开关、电路控制和电源适配器。

5. **电流调整模块**:它还可以用于电流调整模块,如LED驱动器、电流调整电路和电源管理单元,以确保电路输出的稳定性和精确性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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