产品简介：
详细参数说明：
IRF7319TRPBF-VB 是一款 N+P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有双通道，其中一个为 N 沟道，另一个为 P 沟道。它支持额定电压为 ±30V，并具有最大持续电流为 9A（正向）和 -6A（反向）。RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为正向 15mΩ @ 10V 和 19mΩ @ 4.5V，反向 42mΩ @ 10V 和 50mΩ @ 4.5V。此外，正向和反向的阈值电压分别为 ±1.65V。
应用简介：
IRF7319TRPBF-VB 是一种多功能的双通道 MOSFET，适用于多种电路应用。它通常用于电源管理、电源开关、电源转换器、电池保护电路、逆变器、电机控制等领域的模块。由于其双通道设计，它在设计中具有更大的灵活性，可用于多种电流和电压条件下的应用。SOP8 封装使其易于安装到电路板上。
文件下载
产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
±20V |
1.6/-1.7V |
±8A |
|
24/50(mΩ) |
18/40(mΩ) |
|
型号：IRF7319TRPBF-VB
丝印：VBA5325
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N+P沟道
- 额定电压：±30V
- 最大持续电流：9A（正向） / -6A（反向）
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：15mΩ（正向） / 42mΩ（反向） @ 10V, 19mΩ（正向） / 50mΩ（反向） @ 4.5V, ±20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：±1.65V
- 封装：SOP8
领域和模块应用：
这种型号的 MOSFET 可以在需要 N 和 P 沟道器件的电路中提供可靠的性能，适用于多种领域，包括电源管理、电动工具、工业控制等。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
立即下载
中文
English
返回上级页面
