**详细参数说明：**
- **沟道类型：** N+P—Channel
- **最大承受电压：** ±30V
- **最大电流：** 9A（正向） / -6A（反向）
- **导通电阻：** 15mΩ（在VGS=10V时，正向） / 42mΩ（在
--VGS=±20V时，反向）
- **阈值电压：** ±1.65V

**应用简介：**
该器件为 N+P—Channel 沟道的 MOSFET，适用于需要同时控制正向和反向电流的模块。可用于功率开关、电流控制和反向保护等应用。

**作用：**
- 控制正向和反向电流。
- 在功率开关和反向保护电路中发挥关键作用。

**使用注意事项：**
1. **电压和电流限制：** 不要超过规定的最大电压和电流。
2. **极性注意：** 注意 N+P—Channel 沟道器件的正反电流特性。
3. **静电防护：** 在处理和安装时采取防静电措施，以免损坏器件。

如有需要进一步了解或有其他问题，请告诉我。