产品简介：
应用简介：
ZXMP6A18DN8TA 是一款具有两个 P 沟道 MOSFET 的器件，适用于需要同时控制两个 P 沟道 MOSFET 的应用。其最大耐压为-60V，最大电流为-5.3A，具有低导通电阻和高性能。
ZXMP6A18DN8TA 适用于需要同时控制两个 P 沟道 MOSFET 的应用领域的模块设计，主要用于电源管理、电动工具和电动车辆等。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P |
-60V |
±20V |
-1.7V |
-5.3A |
|
60(mΩ) |
54(mΩ) |
|
型号：ZXMP6A18DN8TA
丝印：VBA4658
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：2个P沟道MOSFET
- 最大耐压：-60V
- 最大电流：-5.3A
- 导通电阻：58mΩ@10V, 70mΩ@4.5V
- 门源电压：±20Vgs (±V)
- 门阈电压：-1~-3Vth
- 封装：SOP8
领域和模块应用：
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括但不限于：
1. 电源管理模块：适用于需要同时控制两个 P 沟道 MOSFET 的电源开关和逆变器等。
2. 电动工具：可用于电动工具中的电源开关和负载开关。
3. 电动车辆：适用于电动车辆中的电源控制和驱动系统。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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