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NCE55P04S-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
NCE55P04S-VB 是一款具有2个P沟道的MOSFET,适用于需要高性能功率开关的电子应用。

NCE55P04S-VB 具有2个P沟道,适用于需要同时控制两个P沟道MOSFET的应用,以实现高性能功率开关。在实际应用中,请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件,以确保最佳性能和可靠性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P -60V ±20V -1.7V -5.3A 60(mΩ) 54(mΩ)
型号:NCE55P04S-VB
丝印:VBA4658
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:2个P沟道
- 额定电压:-60V
- 最大连续电流:-5.3A
- 静态开启电阻(RDS(ON)):58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V
- 门源极电压(Vgs):±20V(±V)
- 阈值电压(Vth):-1V 至 -3V
- 封装类型:SOP8

领域和模块应用:

以下是一些可能的应用领域模块:

1. **电源开关模块**:该MOSFET可用于电源开关模块,以实现高效电源的开关和调节。它适用于便携设备、电源管理系统和低电压电源应用。

2. **电池保护模块**:在需要保护电池免受过放电和过充电的应用中,NCE55P04S-VB 可用于电池保护电路,确保电池的安全运行。

3. **DC-DC变换器**:在需要高效的DC-DC变换器中,这款MOSFET可用于帮助实现电压升降和电能转换。它适用于便携式设备、通信设备和工业应用。

4. **电机驱动模块**:NCE55P04S-VB 可用于电机驱动和控制模块,包括直流电机、步进电机和无刷直流电机驱动。

5. **电流控制模块**:在需要高性能电流控制的应用中,这款MOSFET可以用于电流传感器和电流放大器模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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