产品简介：
应用简介：
NCE55P05S-VB是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要负电压电源开关和电路中的功率开关应用。
NCE55P05S-VB MOSFET适用于需要P沟道MOSFET的负电压电源开关和负电压电路中的应用。这种组件有助于实现负电压电源的控制和保护，适用于各种模块和电路，以满足不同负电压电源需求。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Single-P |
-60V |
±20V |
-1.7V |
-8A |
|
63(mΩ) |
60(mΩ) |
|
型号：NCE55P05S-VB
丝印：VBA2658
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-60V
- 最大连续电流：-6A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：50mΩ @ 10V, 61mΩ @ 4.5V, ±20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：-1.5V
- 封装类型：SOP8
领域和模块应用：
以下是一些可能的应用领域：
1. 负电压电源开关：P沟道MOSFET通常用于负电压电源开关，可用于反向电源保护和负电压电源管理。
2. DC-DC转换器：它可以用于负电压的DC-DC转换器，将电压升高或降低，以适应特定电子设备的需求。
3. 负电压电路：适用于负电压电路中，如负电压电源管理、电压反转器和负电压逆变器。
4. 电池保护：P沟道MOSFET可以用于电池电路中，以实现电池的充电和保护功能。
5. 负电压电源控制：适用于负电压电源控制，如负电压直流电源控制、电源切断等。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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