详细参数说明和应用简介：
1. 沟道类型：P沟道
- 这表示这是一种P沟道MOSFET，通常用于需要控制负电压电源的应用。

2. 额定电压 (VDS)：-30V
- 这是沟道MOSFET能够承受的最大负电压，表示它适用于需要处理高达-30V的电压的电路。

3. 额定电流 (ID)：-7A
- 这是沟道MOSFET的额定电流，表示它可以处理的最大负电流负载。

4. 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：
- RDS(ON)是沟道MOSFET的导通状态下的电阻。在10V的情况下，它的电阻为23mΩ，而在4.5V的情况下为29mΩ，2.5V的情况下为66mΩ。这表明在导通状态下，它的电阻相对低，有助于减小功耗和热量。

5. 栅源电压额定值 (Vgs)：±20V (±V)
- 这表示栅源电压的额定范围为正负±20V。栅源电压用来控制MOSFET的导通和截止状态。

6. 阈值电压 (Vth)：-1.37V
- 这是沟道MOSFET的阈值电压，表示需要应用在栅极上的电压，以使器件开始导通。

这种型号的P沟道MOSFET适用于多种领域的电子设备和模块，以满足功率开关和电源管理的需求，特别是需要处理负电压电源的应用。