产品简介:
**应用简介:**
AP4435GM-VB是一款P沟道MOSFET晶体管,具有负电压承受能力和低导通电阻,适用于多种应用领域。
AP4435GM-VB适用于需要负电压承受和开关控制的应用,如电源管理、电机控制、LED照明、电池保护和电子开关等领域的模块。其参数使其成为各种电子设备中的理想选择,以确保高效、可靠和稳定的运行,并提供精确的电路控制。
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产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOP8 |
Single-P |
-30V |
±20V |
-1.7V |
-9A |
|
24(mΩ) |
18(mΩ) |
|
型号: AP4435GM-VB
丝印: VBA2317
品牌: VBsemi
**详细参数说明:**
- 通道类型: P沟道
- 额定电压: -30V
- 最大持续电流: -7A
- 导通电阻 (RDS(ON)): 23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V, ±20Vgs
- 阈值电压 (Vth): -1.37V
- 封装类型: SOP8
领域和模块应用:
以下是该产品在不同领域模块上的应用:
1. **电源管理模块**:
AP4435GM-VB的负电压承受能力和低导通电阻使其成为电源管理模块的理想选择,特别适用于负电压开关和反向电源保护。
2. **电机控制模块**:
在电机控制应用中,这款MOSFET晶体管可用于电机驱动模块,用于控制电机的启停、速度调节和反向运行。其高电流承受能力使其适用于高性能电机控制。
3. **LED照明**:
AP4435GM-VB可用于LED照明模块,用于控制LED灯的亮度和颜色。其低导通电阻有助于减小功率损耗,提供高效的照明解决方案。
4. **电池保护模块**:
该晶体管可用于电池管理和保护模块,用于控制电池充电和放电的开关,确保电池的安全和延长寿命。
5. **电子开关**:
AP4435GM-VB是理想的电子开关,可用于各种电子开关应用,如电子锁、继电器、开关电路和电子控制器,以控制电路的通断状态。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持:
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