产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOP8 |
Single-P |
-30V |
±20V |
-3V |
-18A |
|
8(mΩ) |
5(mΩ) |
|
型号:FDS6681Z-NL-VB
丝印:VBA2305
品牌:VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型:P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大电流:-15A
- 导通电阻(RDS(ON)):5mΩ @ 10V, 8mΩ @ 4.5V, ±20Vgs
- 阈值电压(Vth):-1.7V
- 封装:SOP8
领域和模块应用:
**应用领域和模块说明:**
1. **电源模块**:
- 由于其低导通电阻和高电流承受能力,FDS6681Z-NL-VB适用于高性能电源模块。
- 可用于开关电源、DC-DC变换器、高电流充电器等领域,提供高效的电能转换。
2. **电机驱动模块**:
- 该MOSFET的低导通电阻和高电流特性使其成为电机驱动模块的理想选择。
- 在电机控制器、电动工具、电动汽车电机驱动等领域中用于提高电机效率和性能。
3. **电池管理模块**:
- FDS6681Z-NL-VB可用于电池管理模块中的电池充电和放电控制。
- 用于电动汽车、便携式电子设备、太阳能逆变器等领域,实现安全和高效的电池管理。
4. **电子负载模块**:
- 在电子负载模块中,该MOSFET可用于调节负载电流,实现负载的稳定性和精确控制。
- 在电源测试、电池测试和功率供应模块中应用广泛。
5. **自动控制模块**:
- 由于其高性能和可靠性,FDS6681Z-NL-VB可用于自动控制模块,如工业自动化和机器人控制。
- 帮助实现精确的电子控制和自动化任务。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性