产品简介：
**详细参数说明：**
SI4850DY-T1-E3-VB是一款N沟道MOSFET，最大耐压为60V，最大电流为7.6A。在不同电压下，其静态导通电阻表现如下：在10V下为27mΩ，在4.5V下为32mΩ，驱动电压范围为±±20V。阈值电压为1.54V。该器件采用SOP8封装。
SI4850DY-T1-E3-VB适用于需要高性能N沟道MOSFET的各种电子领域，从电源管理到电子开关和通信设备。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
60V |
±20V |
1.7V |
7.6A |
|
35(mΩ) |
25(mΩ) |
|
型号：SI4850DY-T1-E3-VB
丝印：VBA1630
品牌：VBsemi
参数：
- N沟道
- 最大耐压：60V
- 最大电流：7.6A
- 静态导通电阻：27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V, ±20Vgs (±V)
- 阈值电压：1.54V
- 封装：SOP8
领域和模块应用：
SI4850DY-T1-E3-VB适用于多种领域的模块，包括但不限于：
1. **电源管理模块**：由于其较低的导通电阻和高耐压特性，它可用于电源开关，有效管理和控制电流，降低功耗。
2. **驱动电路**：作为N沟道MOSFET，可用于驱动电路，包括电机驱动、照明控制和电子开关。
3. **电池管理**：在充电和放电管理电路中，它可以用于电池保护和电流控制。
4. **通信设备**：在通信设备的电源开关和电源逆变器中，该器件可以实现高效的电能转换。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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