产品简介：
详细参数说明：
4410-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有30V的额定电压和最大持续电流为12A。它的RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为12mΩ @ 10V 和 15mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）在0.8V至2.5V范围内可调。
应用简介：
这种型号的MOSFET通常用于电子设备中的电源管理和开关控制应用。由于其N沟道特性，它在低电平控制和功率开关应用中非常有用。SOP8封装使它易于集成到电路板上。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
30V |
±20V |
1.7V |
13A |
|
11(mΩ) |
8(mΩ) |
|
型号：4410-VB
丝印：VBA1311
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：30V
- 最大持续电流：12A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, ±20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth) 范围：0.8~2.5V
- 封装：SOP8
领域和模块应用：
它可以用于各种领域的模块，如电源逆变器、电动汽车控制、电源开关、LED驱动、电机控制等领域的模块。它的低导通电阻和高电流承受能力使其在高效能耗应用中具有广泛的用途。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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