产品简介：
应用简介：
SI4466DY-T1-E3-VB是一款N沟道场效应晶体管（FET），具有高电流和低导通电阻。它适用于需要高性能电流控制的电子应用。SOP8封装适用于各种电路设计。
SI4466DY-T1-E3-VB是一款高性能的N沟道场效应晶体管，适用于多种领域，包括电源管理、电机控制、电路保护和电池管理等应用。其SOP8封装使其适用于各种电路设计。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
30V |
±20V |
1.7V |
18A |
|
5(mΩ) |
4(mΩ) |
|
型号：SI4466DY-T1-E3-VB
丝印：VBA1303
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：30V
- 额定电流：18A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：5mΩ @ 10V, 6.5mΩ @ 4.5V, ±20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：1.72V
- 封装类型：SOP8
领域和模块应用：
应用领域：
1. 电源开关模块：SI4466DY-T1-E3-VB可用于电源开关电路，如开关稳压器、DC-DC转换器和功率放大器，以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. 电机控制：在电机驱动电路和电机控制器中，它可以用于电机的启停、速度调节和效能提升。
3. 电源管理：在各种电子设备中，这款N沟道场效应晶体管可用于电源管理、电路保护和电压控制。
4. 电池保护：在电池供电系统、充电设备和便携式电子设备中，这款晶体管可用于电池保护和电池充电/放电控制。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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