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SI3477DV-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
SI3477DV-T1-GE3(丝印:VB8338)是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介:

详细参数说明:
SI3477DV-T1-GE3是一款P沟道功率MOSFET,适用于具有低电压和低功耗的电路。主要参数包括额定电压为-30V,额定电流为-4.8A,RDS(ON)为49mΩ @ 10V,54mΩ @ 4.5V,门源电压范围为±±20V,门源阈值电压范围为-1V~-3V,封装类型为SOT23-6。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-6 Single-P -30V ±20V -1.7V -4.8A 54(mΩ) 49(mΩ)
型号:SI3477DV-T1-GE3
丝印:VB8338
品牌:VBsemi
参数:
- 频道类型:P沟道
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-4.8A
- RDS(ON):49mΩ @ 10V,54mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围:±±20V
- 门源阈值电压范围:-1V~-3V
- 封装类型:SOT23-6

领域和模块应用:

应用领域:
SI3477DV-T1-GE3(VB8338)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要P沟道功率MOSFET的低功耗电路。以下是一些典型的应用领域:

1. 电源管理模块:SI3477DV-T1-GE3可用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。
2. 电池管理系统:它适用于电池管理系统中的充放电控制电路,提供高效能和可靠的电池管理。
3. 便携式设备:SI3477DV-T1-GE3适用于便携式设备中的功率管理、电源开关、电池管理等方面。

综上所述,SI3477DV-T1-GE3(VB8338)是一款P沟道功率MOSFET,适用于电源管理模块、电池管理系统和便携式设备等领域模块。它具有低导通电阻和高耐压的特点,适用于需要低功耗和高效能的电路。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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