产品简介：
应用简介：
FDC5661N是一款N沟道MOSFET，具有较高的额定电压和额定电流，适合在各种电源管理和功率放大器应用中使用。它的低导通电阻和高性能特性使其在高负载和高频率应用中表现出色，能够提供可靠而高效的电流开关功能。
该器件具有1~3Vth的阈值电压范围，可以通过控制±20Vgs (±V)的门源电压，实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关的状态转换。其低导通电阻能够降低功率损耗，提高系统效率。
FDC5661N采用SOT23-6封装，封装小巧，适合在空间有限的应用场景中使用。
总之，FDC5661N是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别是在电源开关、电机驱动器和LED照明电路等领域。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-6 |
Single-N |
60V |
±20V |
1.7V |
7A |
|
35(mΩ) |
30(mΩ) |
|
FDC5661N详细参数说明：
- 极性：N沟道
- 额定电压：60V
- 额定电流：7A
- 导通电阻：30mΩ @ 10V, 35mΩ @ 4.5V
- 门源电压：±20Vgs (±V)
- 阈值电压：1~3Vth (V)
- 封装类型：SOT23-6
领域和模块应用：
该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器、LED照明电路等领域。通过其低导通电阻和高性能特性，可以提供高效、可靠的功率开关控制。其小巧的封装使其尤其适合在紧凑型电路板和模块中应用。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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