产品简介：
应用简介：
FDC3512是一款N沟道MOSFET，适用于低压和中等电流的应用。其最大耐压为100V，最大电流为3.2A，具有低导通电阻和高性能。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-6 |
Single-N |
100V |
±20V |
1.8V |
3.2A |
|
105(mΩ) |
95(mΩ) |
|
型号：FDC3512
丝印：VB7101M
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：N沟道MOSFET
- 最大耐压：100V
- 最大电流：3.2A
- 导通电阻：100mΩ @10V, 127mΩ @4.5V
- 门源电压：±20Vgs (±V)
- 门阈电压：2~4Vth
- 封装：SOT23-6
领域和模块应用：
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于低压电源管理和负载开关控制。
2. 电流控制模块：可用于电流调节和负载开关控制。
3. 消费电子产品：适用于电池供电设备和便携式电子产品等。
总之，FDC3512适用于低压和中等电流应用领域的模块设计，包括电源管理、电流控制和消费电子产品等。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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